MOSFET, Canal-N, 8 A 500 V TO-220AB, 3 broches

  • Code commande RS 542-9440
  • Référence fabricant IRF840APBF
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 8 A
Tension Drain Source maximum 500 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 850 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 125 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Matériau du transistor Si
Largeur 4.7mm
Longueur 10.41mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 9.01mm
Charge de Grille type @ Vgs 38 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
188 pour livraison dès le lendemain (stock France)
728 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
1,47
HT
1,76
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 9
1,47 €
10 - 49
1,20 €
50 - 99
0,92 €
100 - 499
0,87 €
500 +
0,78 €