MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total 10 unités (conditionné en tube)*

30,80 €

HT

37,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 906 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
10 - 993,08 €
100 - 4992,93 €
500 +2,63 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
687-5239P
Référence fabricant:
STF11NM80
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Tension directe Vf

0.86V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Hauteur

9.3mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.