MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 11 A Enrichissement 800 V, 3 broches STF11NM80

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Référence fabricant:
STF11NM80
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.86V

Dissipation de puissance maximum Pd

35W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43.6nC

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

9.3mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6 mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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