MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 10.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SuperMESH

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Code commande RS:
687-5263
Référence fabricant:
STP12NK80Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

10.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Série

SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.75Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

87nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Hauteur

9.15mm

Normes/homologations

ECOPACK

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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