MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 10.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SuperMESH

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Code commande RS:
687-5263
Référence fabricant:
STP12NK80Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum (Id)

10.5 A

Tension Drain Source maximum (Vds)

800 V

Mode de canal

Enrichissement

Nombre de broches

3

Type de Boitier

TO-220

Série

SuperMESH

Standard automobile

Non

Tension directe (Vf)

1.6 V

Hauteur

9.15 mm

Longueur

10.4 mm

Résistance Drain Source maximum (Rds)

0.75 Ω

Tension maximale de source de la grille (Vgs)

-30 V, +30 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Dissipation de puissance maximum (Pd)

190 W

Température minimum de fonctionnemen

-55 °C

Type de montage

Traversant

Normes/homologations

ECOPACK

Charge de porte typique (Qg) @ Vgs

87 nC

Largeur

4.6 mm

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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