MOSFET N STMicroelectronics 8.3 A 1 kV Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh, SuperMESH

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687-5318
Référence fabricant:
STW11NK100Z
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

8.3A

Tension Drain Source maximum Vds

1kV

Type de Boitier

TO-247

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.38Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

113nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

20.15mm

Normes/homologations

No

Longueur

15.75mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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