MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH

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687-5352P
Référence fabricant:
STD3NK80Z-1
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

IPAK

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.6mm

Largeur

2.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

6.2mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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