MOSFET canal N STMicroelectronics 2.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH

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687-5352P
Référence fabricant:
STD3NK80Z-1
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

IPAK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Largeur

2.4mm

Hauteur

6.2mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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