MOSFET canal Type N DiodesZetex 630 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 DMN2004K AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104,

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708-2425
Référence fabricant:
DMN2004K-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

630mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

DMN2004K

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

900mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.9nC

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

8 V

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.1mm

Longueur

3mm

Largeur

1.4 mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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