MOSFET Vishay canal N, SOIC 7.5 A 30 V, 8 broches

Name: MOSFET Vishay canal N, SOIC 7.5 A 30 V, 8 broches
Brand: Vishay
SKU: 710-3327P
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	7.5 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SOIC
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	19,5 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1.2V
Dissipation de puissance maximum	2000 mW
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	14,5 nC @ 10 V, 7,1 nC @ 4,5 V
Longueur	5mm
Matériau du transistor	Si
Largeur	4mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.5mm