MOSFET canal N STMicroelectronics 75 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II

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714-6778P
Référence fabricant:
STB75NF75LT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

11mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

75nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-15V, +15V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

9.35mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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