MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-92 400 mA 600 V, 3 broches

Code commande RS:: 714-6796P
Référence fabricant:: STQ1HNK60R-AP
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-92 400 mA 600 V, 3 broches

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Référence fabricant:: STQ1HNK60R-AP
Marque:: STMicroelectronics

STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8Ω - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Data Sheet

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	400 mA
Tension Drain Source maximum	600 V
Série	MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier	TO-92
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	8,5 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.7V
Tension de seuil minimale de la grille	2.25V
Dissipation de puissance maximum	3 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	3.94mm
Longueur	4.95mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	7 nC @ 10 V
Hauteur	4.95mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-92 400 mA 600 V, 3 broches

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Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics