MOSFET canal N STMicroelectronics 400 mA 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 MDmesh, SuperMESH

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total 100 unités (conditionné en ruban)*

38,10 €

HT

45,70 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 5 090 unité(s) expédiée(s) à partir du 17 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
100 - 4900,381 €
500 - 9900,293 €
1000 - 19900,267 €
2000 +0,241 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
714-6796P
Référence fabricant:
STQ1HNK60R-AP
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

400mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-92

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

3W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

4.95mm

Hauteur

4.95mm

Largeur

3.94mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.