MOSFET P DiodesZetex 10.4 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 ZXMP6A18K AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101
- Code commande RS:
- 738-5178
- Référence fabricant:
- ZXMP6A18KTC
- Marque:
- DiodesZetex
Ajoutez 26 de plus pour économiser 9%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
2,63 €
HT
3,16 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 1 440 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 2 - 24 | 1,315 € | 2,63 € | - |
| 26 + | 1,185 € | 2,37 € | 9% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 738-5178
- Référence fabricant:
- ZXMP6A18KTC
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | ZXMP6A18K | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 80mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 10.1W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tension directe Vf | -0.95V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 7.67mm | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série ZXMP6A18K | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 80mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 10.1W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 23nC | ||
Tension directe Vf -0.95V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 7.67mm | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q200, AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P DiodesZetex 10.4 A 60 V Enrichissement TO-252 ZXMP6A18K AEC-Q200 AEC-Q100, AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 450 mA 60 V Enrichissement SOT-223 AEC-Q100 AEC-Q104, AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 75 mA 450 V Enrichissement SOT-223 AEC-Q104 AEC-Q200, AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 230 mA 100 V Enrichissement E-Line AEC-Q101 AEC-Q100, AEC-Q200
- Régulateur de tension AEC-Q200 AEC-Q104, AEC-Q100 DiodesZetex 45V
- Régulateur de tension AEC-Q200 AEC-Q100, AEC-Q101 DiodesZetex 45V
- Régulateur de tension AEC-Q104 AEC-Q101, AEC-Q200 DiodesZetex 45V
- Régulateur de tension AEC-Q104 AEC-Q101, AEC-Q100 DiodesZetex 45V
