MOSFET, Canal-P, 5 A 30 V SOT-26, 6 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor de puissance MOSFET à canal P, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 5 A
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier SOT-26
Type de montage CMS
Nombre de broche 6
Résistance Drain Source maximum 100 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3V
Dissipation de puissance maximum 2 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 1.1mm
Longueur 3.1mm
Matériau du transistor Si
Largeur 1.7mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Charge de Grille type @ Vgs 9,52 nC @ 10 V
5280 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,614
HT
0,737
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 240
0,614 €
6,14 €
250 +
0,606 €
6,06 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :