MOSFET, Canal-N, 3,9 A 40 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 3.9 A
Tension Drain Source maximum 40 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 62 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3V
Dissipation de puissance maximum 1.25 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Hauteur 1.2mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 3.1mm
Matériau du transistor Si
Largeur 1.7mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Charge de Grille type @ Vgs 10 nC @ 10 V
En cours d'approvisionnement. Nous contacter
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,322
HT
0,386
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 10
0,322 €
3,22 €
20 - 40
0,245 €
2,45 €
50 - 90
0,213 €
2,13 €
100 - 190
0,194 €
1,94 €
200 +
0,175 €
1,75 €
*Prix donné à titre indicatif