MOSFET Toshiba canal N, USM 50 mA 20 V, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	50 mA
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	USM
Série	2SK
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	40 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	100 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	2mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	1.25mm
Matériau du transistor	Si
Hauteur	0.9mm