MOSFET Toshiba canal N, SC-62 1 A 30 V, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	1 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Série	2SK
Type de boîtier	SC-62
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.4V
Dissipation de puissance maximum	3 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	+25 V
Largeur	2.5mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	4.6mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Gain en puissance typique	14.9 dB
Hauteur	1.6mm