MOSFET canal N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh

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760-9499P
Référence fabricant:
STB24NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.75mm

Largeur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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