MOSFET N STMicroelectronics 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 DeepGate, STripFET
- Code commande RS:
- 760-9673P
- Référence fabricant:
- STP260N6F6
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 760-9673P
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- STP260N6F6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | DeepGate, STripFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 183nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série DeepGate, STripFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 183nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
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