MOSFET canal N STMicroelectronics 29 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 FDmesh

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Code commande RS:
760-9792P
Référence fabricant:
STW34NM60ND
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

29A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

FDmesh

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.15mm

Normes/homologations

No

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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