MOSFET canal N STMicroelectronics 39 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh

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760-9796P
Référence fabricant:
STW48NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

39A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

255W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

124nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

20.15mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Longueur

15.75mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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