MOSFET canal N STMicroelectronics 39 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh

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760-9796P
Référence fabricant:
STW48NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

39A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-247

Série

MDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

70mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

255W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

124nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Hauteur

20.15mm

Largeur

5.15mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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