MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
760-9828P
Référence fabricant:
STB160N75F3
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

330W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

85nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

10.4mm

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.75mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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