MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH
- Code commande RS:
- 760-9998
- Référence fabricant:
- STP13NK60ZFP
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (5 unités, dans un pack de 5)*
15,54 €
HT
18,65 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 1 015 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,108 € | 15,54 € |
| 50 - 120 | 2,794 € | 13,97 € |
| 125 + | 2,29 € | 11,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 760-9998
- Référence fabricant:
- STP13NK60ZFP
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | MDmesh, SuperMESH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 550mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 35W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 66nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série MDmesh, SuperMESH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 550mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 35W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 66nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.6mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 13 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 7 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 14 A 500 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 9 A 800 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 17.5 A 950 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH