MOSFET N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET II
- Code commande RS:
- 761-0159P
- Référence fabricant:
- STP60NF10
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 761-0159P
- Référence fabricant:
- STP60NF10
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | STripFET II | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 104nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série STripFET II | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 104nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.