MOSFET 1 canal N Simple STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET II
- Code commande RS:
- 761-0193P
- Référence fabricant:
- STP80NF55L-06
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 5 unités (conditionné en tube)*
14,00 €
HT
16,80 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 5 - 9 | 2,80 € |
| 10 - 24 | 2,51 € |
| 25 - 49 | 2,27 € |
| 50 + | 2,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 761-0193P
- Référence fabricant:
- STP80NF55L-06
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 80 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 55 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | STripFET II | |
| Hauteur | 15.75 mm | |
| Longueur | 10.4 mm | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 8 mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille (Vgs) | 16 V, -16 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175 °C | |
| Dissipation de puissance maximum (Pd) | 300 W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55 °C | |
| Type de montage | Traversant | |
| Largeur | 4.6 mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 80 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 55 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série STripFET II | ||
Hauteur 15.75 mm | ||
Longueur 10.4 mm | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 8 mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille (Vgs) 16 V, -16 V | ||
Température d'utilisation maximum 175 °C | ||
Dissipation de puissance maximum (Pd) 300 W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55 °C | ||
Type de montage Traversant | ||
Largeur 4.6 mm | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.