MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 5 A 600 V Enrichissement, 3 broches, IPAK (TO-251) MDmesh

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761-0247P
Référence fabricant:
STU7NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

5A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

IPAK (TO-251)

Série

MDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.9Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Hauteur

6.9mm

Normes/homologations

ECOPACK

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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