MOSFET 1 canal N Simple STMicroelectronics 51 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 FDmesh Non

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Code commande RS:
761-0336P
Référence fabricant:
STW55NM60ND
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Nombre d'éléments par circuit

1

Type de canal

N

Configuration du transistor

Simple

Courant continu de Drain maximum (Id)

51 A

Tension Drain Source maximum (Vds)

600 V

Mode de canal

Enrichissement

Nombre de broches

3

Type de Boitier

TO-247

Série

FDmesh

Standard automobile

Non

Tension directe (Vf)

1.3 V

Hauteur

20.15 mm

Longueur

15.75 mm

Résistance Drain Source maximum (Rds)

60 mΩ

Tension maximale de source de la grille (Vgs)

-25 V, +25 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Dissipation de puissance maximum (Pd)

350 W

Température minimum de fonctionnemen

-55 °C

Type de montage

Traversant, Traversant

Normes/homologations

No

Charge de porte typique (Qg) @ Vgs

190 nC

Largeur

5.15 mm

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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