MOSFET N STMicroelectronics 55 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II

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Code commande RS:
761-0405P
Référence fabricant:
STB55NF06LT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Dissipation de puissance maximum Pd

95W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.75mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics