MOSFET N STMicroelectronics 8 A 1500 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh
- Code commande RS:
- 761-0639
- Référence fabricant:
- STW9N150
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
8,39 €
HT
10,07 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 495 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 8,39 € |
| 5 - 9 | 7,96 € |
| 10 - 24 | 7,18 € |
| 25 - 49 | 6,54 € |
| 50 + | 6,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 761-0639
- Référence fabricant:
- STW9N150
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1500V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MDmesh | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 320W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 89.3nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 20.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1500V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MDmesh | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 320W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 89.3nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 20.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 8 A 1500 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 2.5 A 1500 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 4 A 1500 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 7 A 1500 V Enrichissement TO-247 MDmesh K5
- MOSFET N STMicroelectronics 21 A 500 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 29 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh
- MOSFET N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement TO-247 MDmesh
