MOSFET N STMicroelectronics 1 A 600 V Enrichissement, 3 broches, IPAK MDmesh, SuperMESH

Sous-total 5 unités (conditionné en tube)*

3,30 €

HT

3,95 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 3 850 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
5 +0,66 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
761-2704P
Référence fabricant:
STD1NK60-1
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

IPAK

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

30W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.4mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics