MOSFET N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh

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Code commande RS:
761-2751
Référence fabricant:
STF13NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-220FP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

360mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

16.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

MOSFET de puissance MDmesh II à canal N 600 V, 280 mOhm typ., 11 A en boîtier TO-220FP


Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance à canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à la disposition en bandes de la société pour obtenir une résistance à l'état passant et une charge de grille parmi les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.

Toutes les caractéristiques


  • Testé à 100 % en avalanche

  • Faible capacité d'entrée et charge de grille

  • Faible résistance d'entrée de grille

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