MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh

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Code commande RS:
761-2751
Référence fabricant:
STF13NM60N
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-220FP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

360mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25V, +25V

Dissipation de puissance maximum Pd

25W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Hauteur

16.4mm

Standard automobile

Non

N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package


These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

All features


  • 100% avalanche tested

  • Low input capacitance and gate charge

  • Low gate input resistance

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