MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh
- Code commande RS:
- 761-2751
- Référence fabricant:
- STF13NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 761-2751
- Référence fabricant:
- STF13NM60N
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Série | MDmesh | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 360mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 25W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Série MDmesh | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 360mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 25W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.6mm | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET de puissance MDmesh II à canal N 600 V, 280 mOhm typ., 11 A en boîtier TO-220FP
Ces dispositifs sont des MOSFET de puissance à canal N développés en utilisant la deuxième génération de la technologie MDmesh. Ces MOSFET de puissance révolutionnaires associent une structure verticale à la disposition en bandes de la société pour obtenir une résistance à l'état passant et une charge de grille parmi les plus faibles au monde. Ils conviennent donc aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
Toutes les caractéristiques
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