MOSFET, Canal-N, 380 mA 60 V SOT-23, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor

Le 2N7002K est un transistor MOSFET à petit signal. Ce transistor MOSFET est un simple canal N avec protection ESD dans un boîtier à montage en surface. Ce transistor MOSFET offre une meilleure efficacité du système et une grande utilisation dans les applications portables.

Caractéristiques et avantages :

Protection ESD
• Canal N.
Faible RDS
• sans plomb ni halogène
• drain à la source - 60 V.
Rendement du système amélioré

Applications :

Convertisseur c.c.-c.c.
• Circuits de décalage de niveau
• Commutateurs de charge faible puissance
Applications portables telles que les téléphones, les PDA, les DSC, les ordinateurs portables et les tablettes.

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 380 mA
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 2,5 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2.3V
Dissipation de puissance maximum 420 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Hauteur 1.01mm
Charge de Grille type @ Vgs 0,7 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor Si
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 1.4mm
Longueur 3.04mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
1100 pour livraison dès le lendemain (stock France)
1900 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 100)
0,049
HT
0,059
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
100 - 500
0,049 €
4,90 €
600 - 1400
0,046 €
4,60 €
1500 +
0,037 €
3,70 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :