Références fabricant

MOSFET P onsemi 760 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-89

Code commande RS:: 780-0554
Référence fabricant:: NTE4151PT1G
Marque:: onsemi

MOSFET P onsemi 760 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-89

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

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Code commande RS:: 780-0554
Référence fabricant:: NTE4151PT1G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	760mA
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Type de Boitier	SC-89
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-6V, +6V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	2.1nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	-1.1V
	Dissipation de puissance maximum Pd	310mW
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	1.7mm
	Hauteur	800μm
	Largeur	950μm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 760mA
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Type de Boitier SC-89
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -6V, +6V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.1nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf -1.1V
	Dissipation de puissance maximum Pd 310mW
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 1.7mm
	Hauteur 800μm
	Largeur 950μm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

NTA4151P, NTE4151P, Small Signal MOSFET −20V, −760mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89 Data Sheet

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

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