MOSFET onsemi canal N/P, SOT-363 250 mA, 880 mA 20 V, 30 V, 6 broches

Code commande RS:: 780-0614
Référence fabricant:: NTJD4158CT1G
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N/P, SOT-363 250 mA, 880 mA 20 V, 30 V, 6 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en bande de 25)

0,195 €

0,234 €

Unité	Prix par unité	Per Tape*
25 - 100	0,195 €	4,875 €
125 - 225	0,185 €	4,625 €
250 - 600	0,175 €	4,375 €
625 - 1225	0,166 €	4,15 €
1250 +	0,16 €	4,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 780-0614
Référence fabricant:: NTJD4158CT1G
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, ON Semiconductor

Le NTJD1155L est un transistor MOSFET double canal. Avec des canaux P et N dans un seul boîtier, ce transistor MOSFET est brillant pour le signal de commande faible, les tensions de batterie faibles et les courants de charge élevés. Le canal N est doté d'une protection ESD interne et peut être commandé par des signaux logiques jusqu'à 1,5 V, tandis que le canal P est conçu pour être utilisé sur les applications de commutation de charge. Le canal P est également conçu avec la technologie de tranchée ON semi.

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N, P
Courant continu de Drain maximum	250 mA, 880 mA
Tension Drain Source maximum	20 V, 30 V
Type de boîtier	SOT-363
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	2,5 Ω, 500 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	270 mW
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Longueur	2.2mm
Largeur	1.35mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	0,9 nC @ 5 V, 2,2 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	2
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm