MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 7,5 A 650 V, 3 broches

Code commande RS:: 786-3606P
Référence fabricant:: STD10N60M2
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 7,5 A 650 V, 3 broches

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Code commande RS:: 786-3606P
Référence fabricant:: STD10N60M2
Marque:: STMicroelectronics

ST*10N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	7,5 A
Tension Drain Source maximum	650 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	600 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	85 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-25 V, +25 V
Largeur	6.2mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	13,5 nC @ 10 V
Longueur	6.6mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	2.4mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Série	MDmesh M2

MOSFET STMicroelectronics canal N, DPAK (TO-252) 7,5 A 650 V, 3 broches

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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics