MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

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786-3726P
Référence fabricant:
STL110N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerFLAT

Série

STripFET H7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

60nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

5.4mm

Hauteur

950μm

Largeur

6.35mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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