MOSFET N STMicroelectronics 7.5 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh M2

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Unité
Prix par unité
25 - 451,404 €
50 - 1201,368 €
125 - 2451,332 €
250 +1,296 €

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
786-3763P
Référence fabricant:
STP10N60M2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

7.5A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

MDmesh M2

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

13.5nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

85W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics


Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics