MOSFET de puissance N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total 10 unités (conditionné une bande continue)*

39,10 €

HT

46,90 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 50 unité(s) expédiée(s) à partir du 17 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
10 - 983,91 €
100 - 4983,45 €
500 +3,355 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
786-3798P
Référence fabricant:
STP310N10F7
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Série

STripFET H7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

180nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

315W

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

15.75mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics