MOSFET Vishay canal N, PowerPAK 1212-8 28 A 100 V, 8 broches

Code commande RS:: 787-9399
Référence fabricant:: SIS892ADN-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal N, PowerPAK 1212-8 28 A 100 V, 8 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (par multiple de 10)

0,783 €

0,94 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	0,783 €	7,83 €
100 - 240	0,588 €	5,88 €
250 - 490	0,485 €	4,85 €
500 - 990	0,432 €	4,32 €
1000 +	0,372 €	3,72 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 787-9399
Référence fabricant:: SIS892ADN-T1-GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

SiS892ADN, N-Channel 100V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	28 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	PowerPAK 1212-8
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	47 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1.5V
Dissipation de puissance maximum	52 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	12,8 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	3.4mm
Longueur	3.4mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.12mm