MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 11 A 600 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 791-7801
- Référence fabricant:
- STP13NM60ND
- Marque:
- STMicroelectronics
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 791-7801
- Référence fabricant:
- STP13NM60ND
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 11 A | |
| Tension Drain Source maximum | 600 V | |
| Série | FDmesh | |
| Type de boîtier | A-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum | 380 mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5V | |
| Tension de seuil minimale de la grille | 3V | |
| Dissipation de puissance maximum | 109 W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Grille Source maximum | -25 V, +25 V | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Charge de Grille type @ Vgs | 24,5 nC @ 10 V | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Matériau du transistor | Si | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 11 A | ||
Tension Drain Source maximum 600 V | ||
Série FDmesh | ||
Type de boîtier A-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum 380 mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension de seuil maximale de la grille 5V | ||
Tension de seuil minimale de la grille 3V | ||
Dissipation de puissance maximum 109 W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Grille Source maximum -25 V, +25 V | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Charge de Grille type @ Vgs 24,5 nC @ 10 V | ||
Largeur 4.6mm | ||
Matériau du transistor Si | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
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