MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET H7
- Code commande RS:
- 792-5697P
- Référence fabricant:
- STB100N10F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 125 de plus pour économiser 17%
Consulter les options de prix de grosSous-total 50 unités (conditionné une bande continue)*
123,50 €
HT
148,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 2,47 € | - |
| 125 + | 2,026 € | 17% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 792-5697P
- Référence fabricant:
- STB100N10F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | STripFET H7 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 61nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série STripFET H7 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 61nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Largeur 9.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.