MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 13 A 650 V, 3 broches

Code commande RS:: 792-5707P
Référence fabricant:: STB18N60M2
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 13 A 650 V, 3 broches

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Référence fabricant:: STB18N60M2
Marque:: STMicroelectronics

STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2, N-Channel 600V, 0.255 Ohm typ., 13A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Data Sheet

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	13 A
Tension Drain Source maximum	650 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Série	MDmesh M2
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	280 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	110 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs	21,5 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.35mm
Hauteur	4.6mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 13 A 650 V, 3 broches

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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics