MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 80 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK STripFET H7

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792-5855P
Référence fabricant:
STH270N8F7-2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

H2PAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

21mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

193nC

Dissipation de puissance maximum Pd

315W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.8mm

Largeur

15.8mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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