MOSFET N STMicroelectronics 180 A 80 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK STripFET H7
- Code commande RS:
- 792-5855P
- Référence fabricant:
- STH270N8F7-2
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 792-5855P
- Référence fabricant:
- STH270N8F7-2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 180A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Série | STripFET H7 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 21mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 315W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 193nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 180A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Série STripFET H7 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 21mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 315W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 193nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 4.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
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