MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

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792-5892P
Référence fabricant:
STL30N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

PowerFLAT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

5.4mm

Longueur

6.35mm

Hauteur

0.95mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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