MOSFET canal Type N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 Non

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

10,02 €

HT

12,025 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 5 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 290 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 52,004 €10,02 €
10 +1,904 €9,52 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
792-6097
Référence fabricant:
STP4N80K5
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

60W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.75mm

Largeur

4.6 mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté