MOSFET canal N STMicroelectronics 3 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh K5, SuperMESH5

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Code commande RS:
792-6097
Référence fabricant:
STP4N80K5
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Série

MDmesh K5, SuperMESH5

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

60W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Hauteur

15.75mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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