MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET II AEC-Q101

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795-6944P
Référence fabricant:
STB60NF06LT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET II

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

14mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-15V, +15V

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

35nC

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

9.35mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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