MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET F3 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 795-9000P
- Référence fabricant:
- STD65N55F3
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 795-9000P
- Référence fabricant:
- STD65N55F3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | STripFET F3 | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série STripFET F3 | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.6mm | ||
Largeur 6.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.