MOSFET P Nexperia 4 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PMV32UP

Sous-total (1 paquet de 30 unités)*

9,36 €

HT

11,22 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 870 unité(s) expédiée(s) à partir du 22 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
30 +0,312 €9,36 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
798-2798
Référence fabricant:
PMV32UP,215
Marque:
Nexperia
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOT-23

Série

PMV32UP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

36mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

415mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal P, Nexperia


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.