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Semi-conducteurs
Composants discrets
Transistors MOSFET
MOSFET Nexperia canal N, SOT-669 34 A 80 V, 4 broches
Code commande RS:
798-2861
Référence fabricant:
PSMN026-80YS,115
Marque:
Nexperia
Voir la catégorie
Ce produit n’est plus distribué
Code commande RS:
798-2861
Référence fabricant:
PSMN026-80YS,115
Marque:
Nexperia
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Caractéristiques techniques
PSMN026-80YS, N-channel LFPAK 80V, 27.5mΩ standard level MOSFET Data Sheet
Déclaration de conformité RoHS
Déclaration de conformité
Pays d'origine :
PH
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
Attribut
Valeur
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
34 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de boîtier
SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Simple
Tension Grille Source maximum
-20 V, +20 V
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Code commande RS:
798-2861
Référence fabricant:
PSMN026-80YS,115
Marque:
Nexperia
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Caractéristiques techniques
PSMN026-80YS, N-channel LFPAK 80V, 27.5mΩ standard level MOSFET Data Sheet
Déclaration de conformité RoHS
Déclaration de conformité
Pays d'origine :
PH
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
Attribut
Valeur
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
34 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de boîtier
SOT-669
Type de montage
CMS
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Simple
Tension Grille Source maximum
-20 V, +20 V
Largeur
4.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
20 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm