Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 23 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 NTD6415ANL AEC-Q101

Code commande RS:: 802-1030
Référence fabricant:: NTD6415ANLT4G
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 23 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 NTD6415ANL AEC-Q101

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10 - 90	1,146 €	11,46 €
100 - 240	0,988 €	9,88 €
250 +	0,857 €	8,57 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 802-1030
Référence fabricant:: NTD6415ANLT4G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	23A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	NTD6415ANL
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	56mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	83W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	20nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	6.22mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.73mm
	Hauteur	2.38mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 23A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier TO-252
	Série NTD6415ANL
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 56mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 83W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 6.22mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.73mm
	Hauteur 2.38mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 100 V à 1700 V, ON Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

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