MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 802-3200P
Référence fabricant:: FDB035N10A
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 100 V, 3 broches

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Code commande RS:: 802-3200P
Référence fabricant:: FDB035N10A
Marque:: onsemi

FDB035N10A, N-Channel PowerTrench MOSFET 100V 214A 3.5mOhm Data Sheet

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	120 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Série	PowerTrench
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	3,5 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	333 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Longueur	10.67mm
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.65mm
Charge de Grille type @ Vgs	89 nC @ 10 V
Hauteur	4.83mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 120 A 100 V, 3 broches

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Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, plus de 60 A, Fairchild Semiconductor