MOSFET N IXYS 132 A 500 V Enrichissement, 3 broches, PLUS264 HiperFET, Polar3

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802-4348P
Référence fabricant:
IXFB132N50P3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

132A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

PLUS264

Série

HiperFET, Polar3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

39mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

250nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.89kW

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.31 mm

Longueur

20.29mm

Hauteur

26.59mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

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