MOSFET N IXYS 26 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HiperFET, Polar3
- Code commande RS:
- 802-4360P
- Référence fabricant:
- IXFH26N50P3
- Marque:
- IXYS
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total 6 unités (conditionné en tube)*
53,70 €
HT
64,44 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 51 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 6 - 14 | 8,95 € |
| 15 + | 8,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 802-4360P
- Référence fabricant:
- IXFH26N50P3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 26A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | HiperFET, Polar3 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 240mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 21.46mm | |
| Longueur | 16.26mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 26A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série HiperFET, Polar3 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 240mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 21.46mm | ||
Longueur 16.26mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™
Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS